发明名称 |
GaN基p-i-p-i-n结构紫外探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及紫外探测器技术领域,公开了一种GaN基p-i-p-i-n结构紫外探测器及其制备方法,该探测器自下至上依次包括用于生长AlxGa1-xN材料的衬底、n型层、i型倍增层、p型过渡层、i型光敏吸收层和p型层,其中,0≤x≤1。本发明的探测器具有如下两个优点:第一,倍增区和吸收区分离的特点使载流子雪崩倍增距离提高,从而使灵敏度大大增加。第二,在p-i-p-i-n结构中,电场主要集中于倍增区,这种特点使得吸收区可以做得更厚,从而使得吸收效率提高的同时基本不影响工作电压的选取,进而使得工作点的选取变得更加灵活,探测器的适用性得以提高。 |
申请公布号 |
CN102386269B |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201110391564.9 |
申请日期 |
2011.11.30 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
汪莱;郑纪元;郝智彪;罗毅 |
分类号 |
H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/105(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种GaN基p‑i‑p‑i‑n结构紫外探测器,其特征在于,自下至上依次包括用于生长AlxGa1‑xN材料的衬底、n型层、i型倍增层、p型过渡层,i型光敏吸收层和p型层,其中,0≤x≤1。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 |