发明名称 半导体激光元件及其制造方法
摘要 本发明的目的在于提供一种光输出及FFP优异的半导体激光元件及其制造方法。本发明的半导体激光元件的制造方法具有:准备晶片的工序,该晶片包括多个从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造的半导体激光元件;在晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序,俯视观察,该第一槽向远离光波导且与光波导交叉的方向延伸;在形成有第一槽的晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序,该第二槽以与使第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面;通过沿着第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序;在与第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各个半导体激光元件的工序。
申请公布号 CN103138155A 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201210502015.9 申请日期 2012.11.30
申请人 日亚化学工业株式会社 发明人 谷坂真吾;小泉大树
分类号 H01S5/22(2006.01)I 主分类号 H01S5/22(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 刘晓迪
主权项 一种半导体激光元件的制造方法,其特征在于,具有:准备晶片的工序,所述晶片包括多个半导体激光元件,该半导体激光元件从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造;在所述晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序,俯视观察,所述第一槽向离开所述光波导且与所述光波导交叉的方向延伸;在形成有所述第一槽的所述晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序,所述第二槽以与使所述第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比所述第一槽平滑的面;通过沿着所述第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序;在与所述第一槽延伸的方向交叉的方向分割所述激光棒而得到各个半导体激光元件的工序。
地址 日本德岛县