碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，依次包括：在碳化硅层110上形成导电层的导电层形成工序；让碳化硅层110和导电层进行反应，形成由与碳化硅层110相接的反应层120和由存在于反应层120上的硅化物层124构成的合金层的热处理工序；用于去除硅化物层含有的碳成分的第一等离子灰化工序；通过使用盐酸、硝酸和氟酸去除硅化物层124的至少一部分使反应层120的表面的至少一部分露出的蚀刻工序；以及，在露出的反应层120的上方形成电极层130的电极层形成工序。根据本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，能够以高生产率制造碳化硅半导体装置，并且可以改善由于在蚀刻工序中硅成分残存而造成的在设备特性中产生变化的问题。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：在碳化硅层上形成导电层的导电层形成工序；让所述碳化硅层和所述导电层进行反应，形成与所述碳化硅层相接的反应层以及形成存在于所述反应层上的硅化物层的热处理工序；用于去除所述硅化物层含有的碳成分的第一等离子灰化工序；通过使用盐酸、硝酸和氟酸去除所述硅化物层的至少一部分，使所述反应层的表面的至少一部分露出的蚀刻工序；以及，在露出的所述反应层的上方形成电极层的电极层形成工序。