| 发明名称 | 无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种无定形碳硬掩膜层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成初始无定形碳硬掩膜层，形成所述初始无定形碳硬掩膜层的反应温度为200～300摄氏度；采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成无定形碳硬掩膜层。本发明无定形碳硬掩膜层的形成方法，采用低温工艺形成初始无定形碳硬掩膜层，采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成致密性高的无定形碳硬掩膜层，降低了热预算，提高了器件稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103137443A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110383465.6 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张彬;邓浩 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种无定形碳硬掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成初始无定形碳硬掩膜层，形成所述初始无定形碳硬掩膜层的反应温度为200～300摄氏度；采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成无定形碳硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||