| 发明名称 | 一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种在沟槽型IGBT或者沟槽型VDMOS上形成的沟槽，属于半导体器件技术领域。该沟槽的侧面为100面。该沟槽由于侧面为100面，并且100面氧化层生长速率较低，其表面更光滑，所以100面的表面迁移率较高，即如果沟槽的侧面为100面，Im/Is的比例较大，起调制作用的电子较多，器件的导通电阻较小，器件导通压降较低，进而，器件导通功率损耗较少。 | ||
| 申请公布号 | CN202977424U | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201220688948.7 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 张文亮;赵佳;朱阳军;田晓丽 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽，其特征在于，侧面为100面。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||