| 发明名称 | 均匀浅沟槽隔离区域及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种方法包括：同时对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面实施等离子体处理，其中，第一材料不同于第二材料。第三材料形成在第一材料的经处理的第一表面上以及第二材料的经处理的第二表面上。第一、第二和第三材料可以分别包括硬掩模、半导体材料和氧化物。本发明还提供了均匀浅沟槽隔离区域及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103137542A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201210027833.8 | 申请日期 | 2012.02.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘禹伶;彭治棠;郑培仁;连浩明;李资良 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种方法，包括：对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面实施等离子体处理，其中，所述第一材料不同于所述第二材料；以及在所述第一材料的经处理的第一表面上以及所述第二材料的经处理的第二表面上形成第三材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||