半导体装置

摘要

本发明揭露一种静态随机存取内存，在一基板上具有一PMOS结构及一NMOS结构。每一MOS结构包含一p型功函数金属层及一n型功函数金属层。p型功函数金属层及n型功函数金属层是加总形成PMOS结构及NMOS结构的一结合后功函数。

主权项

一种静态随机存取内存，其特征在于，包含：一N型金属氧化物半导体结构，包含：一第一栅极绝缘层设置于一基板上；一第一金属栅极设置于该第一栅极绝缘层上；及一第一导体设置于该第一金属栅极上；以及一P型金属氧化物半导体结构，包含：一第二栅极绝缘层设置于该基板上；一第二金属栅极设置于该第二栅极绝缘层上；及一第二导体设置于该第二金属栅极上；其中，该第一金属栅极包含一第一p型功函数层及一第一n型功函数层，该第二金属栅极包含一第二p型功函数层及一第二n型功函数层，该第一p型功函数层与该第二p型功函数层各自具有一大于或等于4.8eV的功函数，该第一n型功函数层与该第二n型功函数层各自具有一小于或等于4.4eV的功函数，致使该第一金属栅极及该第二金属栅极各自具有一范围为4.4eV至4.8eV的功函数。