发光二极管及其制程

摘要

一种发光二极管及其制程，包含下列步骤：提供一基板组合体，该基板组合体具有一基板、分别设置在该基板上、下表面的多条上、下电极部、分别介于所述上、下电极部间的多条上、下蚀刻部、多个相间隔且贯穿该基板与所述上、下电极部的孔洞，及多个分别在界定出每一孔洞的内周壁面设置的连接电极部。接着，形成多个分别封闭每一上电极部的多上开口的阻隔单元，最后在两上电极部间设置发光二极管芯片并形成一覆盖层，经切割后就制得发光二极管。透过该制程可提升基板利用率，并能进行两次成型而增进发光二极管发光强度。

主权项

一种发光二极管的制程；其特征在于：该制程包含下列步骤：一、提供一基板组合体，该基板组合体具有一基板、多数条沿一第一方向相间隔地设置在该基板的一个上表面的上电极部、多数条介于所述上电极部间的上蚀刻部、多数条沿该第一方向相间隔地设置在该基板的一个下表面的下电极部、多数条介于所述下电极部间的下蚀刻部，及多数个相间隔且贯穿该基板与所述上、下电极部的孔洞，所述孔洞分别在所述上、下电极部界定形成多数个上开口及多数个下开口；二、分别在界定出每一孔洞的内周壁面，形成一与该基板组合体的上、下电极部电连接的连接电极部；三、形成多数个分别封闭每一上电极部的多数上开口的阻隔单元，所述阻隔单元各具有一封闭住所述上开口的第一阻隔层，及一位于该第一阻隔层上的第二阻隔层，且所述第二阻隔层的黏滞性是小于所述第一阻隔层的黏滞性，其硬度则大于所述第一阻隔层的硬度；四、在位于每一条上蚀刻部二侧的二上电极部间，设置多数个相间隔的发光二极管芯片，每一发光二极管芯片分别与所述上电极部电连接；五、在该基板的上表面形成一包覆住所述发光二极管芯片、所述上电极部与所述上蚀刻部与所述阻隔单元且由透明材质制成的覆盖层；及六、沿该第一方向且经所述孔洞切割该基板，并沿一垂直于该第一方向的第二方向切割该基板，以形成多数个发光二极管。