| 发明名称 | 高K栅介质层的形成方法及形成装置、晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种高K栅介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的绝缘层、以及贯穿所述绝缘层的厚度的开口；采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺，在所述开口的底部形成金属层；氧化所述金属层形成高K栅介质层。本发明实施例还提供了一种晶体管的形成方法，形成的晶体管的高K栅介质层主要形成在开口的底部，开口侧壁形成的较少，晶体管的寄生电容小，性能好。相应的，本发明的实施例还提供了一种高K栅介质层的形成装置，结构和原理简单，利用提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103137461A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110398208.X | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种高K栅介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层、以及贯穿所述绝缘层的厚度的开口；其特征在于，还包括：采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺，在所述开口的底部形成金属层；氧化所述金属层形成高K栅介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||