发明名称 |
有机电致发光器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及金属阴极,其中,空穴注入层的材料为碱性金属氧化物掺杂的p型半导体材料,碱性金属氧化物的掺杂质量百分比例为0.5%~5%,所述碱性金属氧化物为氧化镁、氧化钙或氧化铝。上述有机电致发光器件通过制备碱性金属氧化物掺杂的p型半导体材料作为空穴注入层,这些材料在可见光范围内有比较高的透过率,不会影响器件对光的吸收利用;而p型掺杂可以使能带弯曲,有效减少电子注入和传输所需要的能量,提高了空穴的传输性能,使发光层的激子复合几率大大提高,最终提高发光效率。 |
申请公布号 |
CN103137888A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201110384891.1 |
申请日期 |
2011.11.28 |
申请人 |
海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
发明人 |
周明杰;王平;黄辉;陈吉星 |
分类号 |
H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
何平 |
主权项 |
一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及金属阴极,其中,所述空穴注入层的材料为碱性金属氧化物掺杂的p型半导体材料,所述碱性金属氧化物的掺杂质量百分比例为0.5%~5%,所述碱性金属氧化物为氧化镁、氧化钙或氧化铝。 |
地址 |
518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 |