| 发明名称 | 晶体管、晶体管的制造方法、显示装置和电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶体管、晶体管的制造方法、显示装置和电子设备。晶体管包括：栅电极；半导体层，其在绝缘层置于半导体层与栅电极之间的状态下，面向栅电极；在半导体层上的蚀刻停止层；一对接触层，其至少在蚀刻停止层的两侧上设置在半导体层上；以及源-漏电极，其通过一对接触层电连接到半导体层，并且与绝缘层相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103137866A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201210470032.9 | 申请日期 | 2012.11.19 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 牛仓信一;八木岩 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：栅电极；半导体层，其在绝缘层置于所述半导体层与所述栅电极之间的状态下，面向所述栅电极；在所述半导体层上的蚀刻停止层；一对接触层，其至少在所述蚀刻停止层的两侧上设置在所述半导体层上；以及源‑漏电极，其通过一对所述接触层电连接到所述半导体层，并且与所述绝缘层相接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||