具有改进击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构

摘要

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅衬底、位于硅衬底上方的非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层。该HEMT进一步包括位于UID GaN层上方的施主供应层、位于施主供应层上方的栅极结构、漏极和源极。该HEMT进一步包括位于施主供应层上方的栅极结构和漏极之间的具有位于施主供应层中的一个或多个电介质插塞部和顶部的介电层。本发明还提供一种用于制造HEMT的方法。本发明还提供了具有改进击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构。

主权项

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：硅衬底；非故意掺杂氮化镓(UID GaN)层，位于所述衬底上方；施主供应层，位于所述UID GaN层上方；栅极结构、漏极和源极，位于所述施主供应层上方，所述栅极结构设置在所述漏极和所述源极之间；以及介电层，在所述栅极结构和所述漏极之间位于所述施主供应层上方，所述介电层具有位于所述施主供应层中的一个或多个第一部分以及位于所述一个或多个第一部分和所述施主供应层上方的第二部分；其中，所述一个或多个第一部分中的至少一个紧邻所述栅极。