| 发明名称 | 具有电熔丝的集成电路及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成具有电熔丝的集成电路的方法包括在衬底的上方形成至少一个晶体管。形成至少一个晶体管包括在衬底的上方形成栅极电介质结构。功函金属层形成在栅极电介质结构的上方。导电层形成在功函金属层的上方。源极/漏极(S/D)区域被形成为与栅极电介质结构的每个侧壁相邻。至少一个电熔丝形成在衬底的上方。形成至少一个电熔丝包括在衬底的上方形成第一半导体层。第一硅化物层形成在第一半导体层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103137553A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201210434513.4 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建宏;薛福隆;许国原 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成集成电路的方法，所述方法包括：在衬底的上方形成至少一个晶体管，其中，形成所述至少一个晶体管包括：在衬底的上方形成栅极电介质结构；在所述栅极电介质结构的上方形成功函金属层；在所述功函金属层的上方形成导电层；以及形成与所述栅极电介质结构的每个侧壁相邻设置的源极/漏极(S/D)区域；以及在所述衬底的上方形成至少一个电熔丝，其中，形成所述至少一个电熔丝包括：在所述衬底的上方形成第一半导体层；以及在所述第一半导体层上形成第一硅化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||