发明名称 | 一种消除沟槽顶端尖角的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种消除沟槽顶端尖角的方法,包括如下步骤:1,ONO成长;2,ONO刻蚀;3,沟槽刻蚀:用ONO作为硬质掩膜进行干法刻蚀;4,横向湿法刻蚀硬质掩膜的中间氮化硅,要求完全露出沟槽顶端的尖角;5,全面刻蚀硬质掩膜上面残留的顶层氧化膜,同时横向刻蚀硬质掩膜的底层氧化膜;6,对沟槽底部进行沟槽同向刻蚀,同时对顶端的尖角进行横向和纵向刻蚀,减小顶端的尖角;7,在沟槽内生长一层牺牲氧化层,沟槽顶端尖角被完全氧化,尖角消失;8,牺牲氧化层湿法刻蚀;氮化硅湿法刻蚀,保留部分氮化硅作为HDP化学机械研磨的阻挡层。本发明能消除沟槽顶端尖角,确保后续HDP能够无孔填充沟槽。 | ||
申请公布号 | CN103137483A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
申请号 | CN201110389017.7 | 申请日期 | 2011.11.30 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐俊杰;陈正嵘 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
主权项 | 一种消除沟槽顶端尖角的方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1,ONO成长:在硅衬底的硅外延层上自下而上依次生长底层氧化膜、中间氮化硅和顶层氧化膜,形成ONO结构;步骤2,ONO刻蚀:带胶干法刻蚀,过刻蚀硅外延层;步骤3,沟槽刻蚀:用ONO作为硬质掩膜进行干法刻蚀;步骤4,湿法刻蚀氮化硅:横向刻蚀硬质掩膜的中间氮化硅,要求完全露出沟槽顶端的尖角;步骤5,湿法刻蚀氧化膜:全面刻蚀硬质掩膜上面残留的顶层氧化膜,同时横向刻蚀硬质掩膜的底层氧化膜;步骤6,沟槽同向刻蚀:对沟槽底部进行沟槽同向刻蚀,同时对顶端的尖角进行横向和纵向刻蚀,减小顶端的尖角;步骤7,牺牲氧化处理:在沟槽内生长一层牺牲氧化层,由于沟槽顶端尖角处氧化速度较快,因此顶端的尖角被完全氧化,尖角消失;步骤8,湿法刻蚀:牺牲氧化层湿法刻蚀,氮化硅湿法刻蚀,保留部分氮化硅作为HDP化学机械研磨的阻挡层。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |