发明名称 |
耐高电压行驱动器 |
摘要 |
本发明涉及耐高电压行驱动器。电路配置成将在第一偏压(VP1)处的第一栅电压(PG1)供应到提供输出(WLS)的第一晶体管的源极,将所述第一偏压(VP1)提供到第二晶体管并将第二偏压(VN1)和第二栅电压(NG1)提供到第三晶体管,第二晶体管串联耦合到第三晶体管并与第一晶体管并联,以将第三偏压(VP2)和第三栅电压(PG2)提供到第四晶体管以及将第四偏压(VN2)和第四栅电压(NG2)提供到第五晶体管,第四晶体管串联耦合到第五晶体管,并且第四晶体管和第五晶体管耦合到第二晶体管的栅极,并将第五偏压(VN3)提供到将第三晶体管连接到第五晶体管的线。 |
申请公布号 |
CN103137198A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201210491643.1 |
申请日期 |
2012.11.27 |
申请人 |
赛普拉斯半导体公司 |
发明人 |
波格丹·乔盖斯库;莱恩·希洛斯 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
周靖;郑霞 |
主权项 |
一种操作一电路以提供字线输出(WLS)的方法,包括:将在第一偏压(VP1)处的第一栅电压(PG1)供应到提供所述输出(WLS)的第一晶体管的源极;将所述第一偏压(VP1)提供到第二晶体管,并将第二偏压(VN1)和第二栅电压(NG1)提供到第三晶体管,所述第二晶体管串联耦合到所述第三晶体管,并与所述第一晶体管并联;将第三偏压(VP2)和第三栅电压(PG2)提供到第四晶体管,并将第四偏压(VN2)和第四栅电压(NG2)提供到第五晶体管,所述第四晶体管串联耦合到所述第五晶体管,并且所述第四晶体管和所述第五晶体管耦合到所述第二晶体管的栅极;以及将第五偏压(VN3)提供到将所述第三晶体管的第一n阱连接到所述第五晶体管的第二n阱的线。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |