| 发明名称 | 一种制备Cu<sub>2</sub>O薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在蓝宝石衬底上制备Cu2O单晶薄膜的方法，包括：在蓝宝石衬底上沉积MgO缓冲层；在MgO缓冲层上沉积Cu2O单晶薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103132144A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110376430.X | 申请日期 | 2011.11.23 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 叶大千;梅增霞;李俊强;刘尧平;杜小龙 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种在蓝宝石衬底上制备Cu2O薄膜的方法，包括：1)在蓝宝石衬底上沉积MgO缓冲层；2)在MgO缓冲层上沉积Cu2O薄膜。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||