膜厚测量方法及膜厚测量装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质

摘要

本发明提供一种膜厚测量方法及膜厚测量装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。具有：针对由被上下层叠在绝缘膜(1)上的导电层(2、3)(层叠膜、例如Ni层以及其上的Au层)构成的半导体基板的电极，在利用触针测量高低差的情况、或者使用激光等情况下，利用公知方法测量导电层(2、3)的厚度(电极高度)的步骤；和利用四探针法测量电极的表面电阻的步骤，根据由两个步骤获得到的层叠膜的膜厚(电极高度)和表面电阻值，利用计算式算出由上下层叠的导电层(2、3)构成的电极的上部覆膜、即导电层(3)的膜厚。从而，能够以廉价的装置高速地测量电子元件的电极的导电性层叠膜的膜厚。

主权项

一种膜厚测量方法，具有下述膜厚测量工序：在将不同的两个电阻率的第1导电层以及第1导电层之上的第2导电层进行层叠之后的层叠膜中，由膜厚测量单元测量该层叠膜的膜厚和该层叠膜表面的表面电阻值，根据所测量出的层叠膜的膜厚以及该表面电阻值，通过计算求出电阻率小的第2导电层的膜厚。