| 发明名称 | 存储器件、存储器阵列及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种存储器件、存储器阵列及其制造方法，其中，该存储器件包括：由n型半导体材料组成的下电极层；位于下电极层上的阻变材料层；以及位于阻变材料层上的由金属材料组成的上电极层。该存储器件是自整流的可变电阻，可应用于交差阵列存储电路结构，并且适于按比例尺寸缩小，从而可以提高存储器的存储密度。 | ||
| 申请公布号 | CN103137861A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201110393972.8 | 申请日期 | 2011.12.01 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 康晋锋;于洪宇;高滨 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：由n型半导体材料组成的下电极层；位于下电极层上的阻变材料层；以及位于阻变材料层上的由金属材料组成的上电极层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||