| 发明名称 | 电子器件及利用溶液处理技术制造其的方法 | ||
| 摘要 | 一种电子器件，包括：包含电路元件的电子衬底；位于电子衬底之上的双堤井限定结构，该双堤井限定结构包括第一层绝缘材料和其上面的第二层绝缘材料，其中第二层绝缘材料具有比第一层绝缘材料低的可浸湿性；及布置在由双堤井限定结构限定的井中的有机半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101926006B | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN200880125796.6 | 申请日期 | 2008.12.17 |
| 申请人 | 剑桥显示技术有限公司 | 发明人 | J·波罗格斯;M·道林 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈华成 |
| 主权项 | 一种电子器件，包括：包含电路元件的电子衬底；布置在电子衬底之上的双堤井限定结构，所述双堤井限定结构包括第一层绝缘材料和其上面的第二层绝缘材料，其中第二层绝缘材料具有比第一层绝缘材料低的可浸湿性；及布置在由所述双堤井限定结构限定的井中的有机半导体材料，其特征在于，第二层绝缘材料是从氟化溶剂中淀积的氟化聚合物，并且其中所述双堤井限定结构包括布置在第一层和第二层之间的一层粘合材料。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||