用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法，采用不同铝组分的多量子阱结构作为有源区。本发明在结构中设计了AlGaN/AlN超晶格缓冲层，实现由蓝宝石衬底到n型AlGaN势垒层的应力释放，为材料的质量提供保障。因为在较低铝组分的AlGaN中才能形成良好的p型欧姆接触，所以有源层的结构也是采取先生长高铝组分的AlGaN层，再依次生长低铝组分的AlGaN层。p型Ni/Au欧姆电极大面积覆盖p型GaN欧姆接触层来实现电流的均匀传输。本发明提供的紫外发光二极管结构，其有源层的多个量子阱由不同铝组分的AlGaN材料构成，从而可以提高其光谱宽度，实现连续波段的紫外光源。

主权项

一种用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管，其结构沿Ga面的生长方向由下至上依次为：蓝宝石衬底(1)、AlN缓冲层(2)、AlGaN/AlN超晶格缓冲层(3)、硅掺杂的n型AlGaN势垒层(4)、有源区‑AlGaN多量子阱层(5)、镁掺杂的p型AlGaN势垒层(6)、镁掺杂p型GaN欧姆接触层(7)、从硅掺杂的n型AlGaN势垒层(4)引出n型欧姆接触电极Ti/Al/Ti/Au层(8)、从镁掺杂p型GaN欧姆接触层(7)引出p型欧姆电极Ni/Au层(9)、其中有源区‑AlGaN多量子阱层(5)为铝组分不同的多量子阱结构。