| 发明名称 | 利用牺牲栅极电极及牺牲自对准接触结构形成半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供利用牺牲栅极电极及牺牲自对准接触结构形成半导体装置的方法。在一范例中，该方法包含：形成由第一材料组成的两相互隔开的牺牲栅极电极，形成由第二材料组成的牺牲接触结构，其中，该第二材料相对该第一材料可选择性蚀刻，以及在该两相互隔开的牺牲栅极电极及该牺牲接触结构上执行蚀刻工艺，以相对该牺牲接触结构选择性移除该两相互隔开的牺牲栅极电极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103137554A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201210495657.0 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | A·卫;P·巴尔斯;E·盖斯 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成两相互隔开的牺牲栅极电极，该牺牲栅极电极由第一材料组成；形成由第二材料组成的牺牲接触结构，其中，该第二材料相对该第一材料可选择性蚀刻；以及在该两相互隔开的牺牲栅极电极及该牺牲接触结构上执行共同的蚀刻工艺，以相对该牺牲接触结构选择性移除该两相互隔开的牺牲栅极电极结构。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||