一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置，通过多种绝缘层结构改变漂移区的电场强度分布，提高了器件的反向电压阻断特性；本发明还提供一种制备方法，可以实现两次光刻工艺实现器件的生产制造。

主权项

一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽位于第一导电半导体材料表面；沟槽内壁的表面设置有半导体氧化物材料；沟槽内壁底部的半导体氧化物材料表面设置有绝缘材料；沟槽之间第一导电半导体材料上部为肖特基势垒结；沟槽内填充有第二导电半导体材料；半导体装置表面和背部区域覆盖有金属层。