化合物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件具有：衬底；形成在衬底上方的AlN层；形成在AlN层上方并且在电子亲和力方面大于AlN层的AlGaN层；形成在该AlGaN层上方并且在电子亲和力方面小于该AlGaN层的另一个AlGaN层。此外，还提供了形成在后一个AlGaN层上方的i-GaN层以及形成在i-GaN层上方的i-AlGaN层和n-AlGaN层。

主权项

一种化合物半导体器件，包括：衬底；第一缓冲层，形成在所述衬底上方；第二缓冲层，形成在所述第一缓冲层上方，并且在电子亲和力方面大于所述第一缓冲层；第三缓冲层，形成在所述第二缓冲层上方，并且在电子亲和力方面小于所述第二缓冲层；沟道层，形成在所述第三缓冲层上方；电子供应层，形成在所述沟道层上方；以及栅电极、源电极和漏电极，形成在该电子供应层上方，其中所述第二缓冲层具有由Alx1Ga1‑x1N表示的成分，其中0.1≦x1≦0.5；所述第三缓冲层具有由Alx2Ga1‑x2N表示的成分，其中0.3≦x2≦1；以及x1的值小于x2的值。