具反向源极／汲极金属接点的场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明关于一种包含反向源极/汲极金属接点的场效电晶体(FET)，该金属接点具有一较低部份位于第一较低介电层中，以及一较高部份位于第二较高介电层中。反向源极/汲极金属接点的较低部份具有比较高部份大的截面积。较佳地，反向源极/汲极金属接点之较低部份的截面积范围系从大约0.03 μm2至大约3.15 μm2，且此反向源极/汲极金属接点与FET之闸极电极相隔范围从大约0.001 μm至大约5 μm的距离。