光学元件的制造方法

摘要

本发明揭露一种采用结合电子束微影术(electron beam lithography)与脉冲模式之电沈积(electrodeposition)技术制作具高图形密度与高深宽比奈米尺寸结构元件之制程，可应用于电子与光学元件之制作，其元件之最小线宽可达25奈米，深宽比最大可达20。其中电子束微影术可以初步定义元件图形所需之高密度与高深宽比之沟槽(trench)结构，之后利用脉冲模式之电沈积填补此沟槽达到金属结构之建立。使用脉冲式电沉积可以提供较充裕的时间，以在电沈积步骤中补充沟槽内金属离子不足之问题，因而能得到高图形密度且具备高深宽比之金属结构。