发明名称 具有改善结构稳定性之记忆胞
摘要 本发明揭露一种记忆胞及其制造方法。此处所描述之记忆胞包含一底电极包含一基底部份及一柱状部份于该基底部份之上,该柱状部份及该基底部分具有各自的外表面且该柱状部分具有一宽度系小于该基底部份之宽度。一记忆元件于该底电极之该柱状部分的一上表面之上以及一顶电极于该记忆元件之上。一介电间隔物与该柱状部分的该外表面连接,该底电极之该基底部分的该外表面与该介电间隔物的一外表面自动对准。
申请公布号 TWI397997 申请公布日期 2013.06.01
申请号 TW098111400 申请日期 2009.04.06
申请人 旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号;奇梦达股份有限公司 德国 发明人 汉普 汤玛斯D;陈逸舟;菲利普 蹇 鲍里斯;龙翔澜
分类号 H01L27/24;H01L45/00 主分类号 H01L27/24
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 德国