| 摘要 |
提供一种矽雷射元件及其制造方法，其藉由使用通常之矽制程(silicon process)可以容易形成之方法，于矽等之基板上，以矽或比照其之Ge(锗)等之Ⅳ族半导体作为基本构成要素。;极薄之矽雷射，系具备：第1电极部，用于注入电子；第2电极部，用于注入电洞；及发光部，被电连接于第1电极部及第2电极部；发光部设为单晶矽，发光部具有第1面(上面)，及和第1面呈对向的第2面(下面)，第1及第2面之面方位设为(100)面，和第1及第2面呈正交方向的发光部之厚度设为较薄，具有：配置于发光部附近之由第1介电体构成之导波路；及使第1及第2介电体交互邻接而形成的镜部。 |
