| 摘要 |
L'invention concerne un dispositif à au moins une diode p/n à hétérostructure, ayant un substrat à base de HgCdTe qui comporte pour chaque diode : - une première partie (4) de première concentration en cadmium, - une partie concentrée (11), de deuxième concentration en cadmium, supérieure à la première concentration, formant une hétérostructure avec la première partie (4), - une zone (9) dopée p+ située dans la partie concentrée (11) et s'étendant jusque dans la première partie (4), formant une jonction p/n (10) avec une portion dopée n de la première partie (4), appelée semelle (1), caractérisé en ce que : - la partie concentrée (11) est localisée uniquement dans la zone (9) dopée p+ et forme un caisson (12) de concentration en cadmium.
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