PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE COMPORTANT AU MOINS UNE PARTIE ACTIVE PRESENTANT DES ZONES D'EPAISSEURS DIFFERENTES

摘要

Procédé de réalisation d'une structure comportant une partie active comportant une première et une deuxième zone suspendue d'épaisseurs différentes à partir d'un premier substrat comportant, ledit procédé comportant les étapes : a) usinage de la face avant du premier substrat pour définir les contours latéraux d'au moins une première zone suspendue suivant une première épaisseur inférieure à celle du premier substrat, b) formation d'une couche d'arrêt de gravure de la première zone suspendue sous ladite zone suspendue, pour cela une étape préalable de retrait du matériau semi-conducteur disposé sous la première zone suspendue a lieu ; c) formation sur la face avant du premier substrat d'une couche sacrificielle, d) usinage à partir de la face arrière du premier substrat jusqu'à dégager ladite couche sacrificielle pour réaliser au moins une deuxième zone suspendue atteindre la couche d'arrêt de la première zone suspendue, e) libération des première et deuxième zones suspendues.