| 摘要 |
<p>산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 제조방법은 기판 상에 게이트를 형성한 다음, 이 게이트를 덮도록 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 게이트 절연막 상에 산화물 반도체로 이루어진 채널층을 형성하는 단계; 채널층의 양측면 상에 각각 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 채널층에 산소를 공급하기 위한 플라즈마 처리 공정을 수행하는 단계; 소스 및 드레인전극과, 채널층을 덮도록 보호막을 형성하는 단계; 및 보호막을 형성한 다음, 열처리 공정을 수행하는 단계;를 포함한다.</p> |
