发明名称 PLASMA ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD THEREOF
摘要 <p>상온에서 고체 상태로 존재하는 원소의 이온을 낮은 공정 압력에서 시료의 표면에 효율적으로 이온주입할 수 있는 플라즈마 이온주입 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온주입 장치는 내부가 진공 상태를 유지하는 진공조, 진공조에 결합되어 진공조 내부에 펄스 플라즈마를 발생하는 마그네트론 증착원, 진공조 내에서 마그네트론 증착원에 대향하는 위치에 설치되어 시료가 장착되는 전도성 시료 장착대, 및 입력되는 펄스 직류전력와 RF전력을 결합하여 마그네트론 증착원에 RF전력과 펄스 직류전력이 중첩된 RF-DC 결합전력을 공급하는 RF-DC 결합부를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101267459(B1) 申请公布日期 2013.05.31
申请号 KR20110091468 申请日期 2011.09.08
申请人 发明人
分类号 C23C14/48;H01L21/265;H05H1/46 主分类号 C23C14/48
代理机构 代理人
主权项
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