Convertidor fotoeléctrico apilado

摘要

Un dispositivo de conversión fotoeléctrica del tipo capa apilada que comprende una pluralidad de unidades deconversión fotoeléctrica (3; 5) apiladas sobre un sustrato (1), cada una de las cuales incluye una capa del tipo deconductividad única (31; 51), una capa de conversión fotoeléctrica (32; 52) del semiconductor sustancialmenteintrínseco, y una capa del tipo de conductividad opuesta (33; 53) en este orden desde un lado de incidencia de luz,en donde por lo menos una de dicha capa del tipo de conductividad opuesta (33) en una unidad de conversión fotoeléctrica deprimer nivel delantera (3) se dispone más cerca al lado de incidencia de luz y dicha capa del tipo de conductividadúnica (51) en una unidad de conversión fotoeléctrica de primer nivel posterior (5) se dispone adyacente a dichaunidad de conversión fotoeléctrica de primer nivel delantera (3) incluye una capa compuesta de silicio (4) por lomenos en una parte de esta, y caracterizado porque dicha capa compuesta de silicio (4) tiene un espesor de más de 20 nm y menos de 130 nm y una concentración deoxígeno de más de 25% atómico y menos de 60% atómico, e incluye partes de fase rica en silicio en una fase dealeación amorfa de silicio y oxígeno.