发明名称 PREPARING METHOD OF FREE-STANDING SILICON FILM USING SUBSTRATE SURFACE TREATMENT PROCESS
摘要 <p>본 발명은 자립형 실리콘 필름의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 화학기상증착 반응기 안에서 단결정 또는 다결정 실리콘 기판 표면을 수소처리하여 다공성 실리콘 표면을 형성하는 단계; 상기 반응기에 실리콘 전구체를 공급하여 다공성 실리콘 표면에 실리콘 필름을 화학기상증착법에 의해 증착하는 단계; 및 상기 실리콘 필름을 기판 표면으로부터 박리하는 단계;를 포함하는 자립형 실리콘 필름의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 자립형 실리콘 필름의 제조방법에 의하면, 실리콘 필름 증착 전에 화학기상증착 반응기 내부에서 실리콘 기판을 표면처리 함으로써 단시간에 기판의 분리에 효과적인 다공성 실리콘 표면을 형성할 수 있어, 추가적인 다공성 실리콘 제조장치 없이도 실리콘 필름을 효과적으로 제조할 수 있으며, 제조된 실리콘 필름은 태양전지용 웨이퍼 등으로 유용하게 적용할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101267424(B1) 申请公布日期 2013.05.30
申请号 KR20110025055 申请日期 2011.03.21
申请人 发明人
分类号 H01L31/04;C23C16/24;C23C16/44;H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人
主权项
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