发明名称 TUNGSTEN SINTERED MATERIAL SPUTTERING TARGET
摘要 인 함유량이 1 wtppm 이하이고, 잔부가 그 밖의 불가피적 불순물과 텅스텐인 것을 특징으로 하는 텅스텐 소결체 스퍼터링 타겟. 텅스텐의 이상 입자 성장과 타겟의 강도 저하에는 인의 함유가 큰 영향을 미치고, 특히 인이 1 ppm 을 초과하여 함유되는 경우에는 텅스텐 타겟에 이상 입자 성장한 결정 입자가 존재하게 되므로, 텅스텐에 함유되는 인을 유해한 불순물로서 강하게 인식함과 함께 가능한 한 적어지도록 관리하여, 텅스텐의 이상 입자 성장의 방지와 타겟의 제품 수율을 향상시키는 것을 과제로 한다.
申请公布号 KR101269787(B1) 申请公布日期 2013.05.30
申请号 KR20107026844 申请日期 2009.04.16
申请人 发明人
分类号 B22F3/105;C22C27/04;C23C14/14;C23C14/34 主分类号 B22F3/105
代理机构 代理人
主权项
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