发明名称 |
一种半导体激光器 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体激光器,包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层,所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料,激射波长在630nm~640nm,且所述上波导层的材料组分为Alx1Gay1In0.49P,所述下波导层的材料组分为Alx2Gay2In0.49P,其中x1>x2,y1<y2,x1+y1+0.49=1,x2+y2+0.49=1。通过上述方式,本发明能够减少对光的总吸收,提高半导体激光器的特性,增加半导体激光器的效率。 |
申请公布号 |
CN103124046A |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN201310019956.1 |
申请日期 |
2013.01.18 |
申请人 |
西安卓铭光电科技有限公司 |
发明人 |
王军营 |
分类号 |
H01S5/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/20(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种半导体激光器,其特征在于,包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层,所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料,且所述上波导层的材料组分为Alx1Gay1In0.49P,所述下波导层的材料组分为Alx2Gay2In0.49P,其中x1>x2,y1<y2,x1+y1+0.49=1,x2+y2+0.49=1,激光器激射波长范围为630nm~640nm。 |
地址 |
710018 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚苑路4955号 |