| 发明名称 | 栅层的制造方法、半导体器件的制造方法和半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种栅层的制造方法，包括：提供具有栅极绝缘层的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成晶粒无序分布的第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层和第一多晶硅层进行离子注入掺杂。本发明还提供一种半导体器件的制造方法和半导体结构。本发明能够避免或减少在对栅层离子注入掺杂时掺杂离子进入或穿透栅极绝缘层的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101364539B | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN200710044813.0 | 申请日期 | 2007.08.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根;陈旺 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种栅层的制造方法，其特征在于，包括：提供具有栅极绝缘层的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成具有柱状晶粒的第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成晶粒无序分布的第二多晶硅层，以减缓后续离子注入时注入离子的能量；对所述第二多晶硅层和第一多晶硅层进行离子注入掺杂。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||