| 发明名称 | 阻变随机访问存储器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。该阻变随机访问存储器件可以减小在芯片上的占用面积并提供大的驱动电流，从而提高了存储密度。 | ||
| 申请公布号 | CN102280465B | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201010207339.0 | 申请日期 | 2010.06.13 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 康晋锋;高滨;陈沅沙;孙兵;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种阻变随机访问存储器件，包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基二极管包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状，所述阻变元件包括与金属层接触的阻变材料层，并且金属层与阻变材料层之间的界面呈非平面的形状。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||