半导体结构及形成元件的方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及形成元件的方法。本发明提供用于半导体元件的基底支撑架，在第一基底上形成有源支柱与伪支柱，使得伪支柱的高度大于有源支柱的高度，当第一基底接合至第二基底时，使用伪支柱作为支撑架可产生较佳的均匀性。在一实施例中，借由图案化掩模的形成，可同时形成伪支柱与有源支柱，图案化掩模中用于伪支柱的开口的宽度小于有源支柱。当使用类似电镀的工艺形成伪支柱与有源支柱时，因为图案化掩模中伪支柱开口的宽度较小，使得伪支柱的高度大于有源支柱。本发明不会发生沿着支柱结构侧边的焊锡润湿现象。

主权项

一种半导体结构，包括：一第一基底；一有源支柱，设置在该第一基底上，该有源支柱具有一第一宽度与一第一高度；以及一伪支柱，设置在该第一基底上，该伪支柱具有一第二宽度与一第二高度，其中该第二宽度小于该第一宽度，该第二高度大于该第一高度；其中该有源支柱与该伪支柱由导电材料形成。