| 发明名称 | 应力诱导电阻变化的补偿 | ||
| 摘要 | 根据本发明，提供了一种用于对半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件包括所述半导体电阻器元件和参考设备，其中，所述参考设备包括金属参考电阻器(30)和半导体参考电阻器(32)；通过对所述金属参考电阻器的电阻和所述半导体参考电阻器的电阻的应力诱导改变，或者与所述应力诱导改变在功能上相关的至少一个量进行测量，来产生补偿参数；以及使用所述补偿参数来对所述半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿。 | ||
| 申请公布号 | CN103125021A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201180046664.6 | 申请日期 | 2011.07.27 |
| 申请人 | 亿欧塞米有限公司 | 发明人 | 斯蒂芬·约翰·哈罗德;阿德里安·哈维·布拉特;乔纳森·拉塞莱特·哥德芬驰 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;G01D3/036(2006.01)I;G01L5/00(2006.01)I;H03K3/011(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 徐川;武晨燕 |
| 主权项 | 一种用于对半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件包括所述半导体电阻器元件和参考设备，其中，所述参考设备包括金属参考电阻器和半导体参考电阻器；通过对所述金属参考电阻器的电阻和所述半导体参考电阻器的电阻的应力诱导改变，或者与所述应力诱导改变在功能上相关的至少一个量进行测量，来产生补偿参数；以及使用所述补偿参数来对所述半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿。 | ||
| 地址 | 英国柴郡 | ||