一种GaN基垂直结构LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其包括设有第一Au层（9）的第一器件结构和表面蒸镀第二Au层（11）的支撑衬底（10）；第一金层（9）与第二金层（11）表面完全接触并紧密键合；所述第一器件结构包括GaN基LED外延片；所述p-GaN层（1）上设有ITO层（5）；所述ITO层（5）上依次设有阻挡层（6）、银层（7）、覆盖层（8）以及第一金层（9）。本发明等离子表面处理能够显著降低Au-Au键合温度及压力的要求，缩短键合时间。既适应了Ag不宜高温长时处理的固有特性，也改善了GaN基垂直结构LED的键合质量。采用ITO/阻挡层/Ag/覆盖层/Au结构有助于进一步防止Ag的受热团聚效应。

主权项

一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其特征在于：其包括设有第一Au 层（9）的第一器件结构和表面蒸镀第二Au层（11）的支撑衬底（10）；第一金层（9）与第二金层（11）表面完全接触并紧密键合；所述第一器件结构包括GaN基LED外延片，该GaN基LED外延片包括蓝宝石衬底（4）、位于蓝宝石衬底（4）上的n‑GaN层（3）、位于n‑GaN层（3）上的有源层（2）以及位于有源层（2）上的p‑GaN层（1）；所述p‑GaN层（1）上设有ITO层（5）；所述ITO层（5）上依次设有阻挡层（6）、银层（7）、覆盖层（8）以及第一金层（9）；所述阻挡层（6）的厚度小于5nm。