| 发明名称 | 沟槽的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有沟槽的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含氟的刻蚀气体对所述掩膜层进行刻蚀，直至暴露出半导体衬底；利用掩膜图案和刻蚀后的掩膜层做掩膜，采用体积比为13＜HBr∶O2＜25的刻蚀气体，54℃＜刻蚀腔室内静电吸盘的负极温度＜60℃的刻蚀条件对所述半导体衬底进行刻蚀，直至形成深宽比大于10的沟槽。本发明形成的深宽比大于10的阵列排列的条形沟槽侧壁不会出现条纹状损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN102214567B | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201010144202.5 | 申请日期 | 2010.04.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李凡;洪中山 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有掩膜层；在掩膜层表面形成具有沟槽的光掩膜图案；利用光掩膜图案做掩膜，用含氟的刻蚀气体对所述掩膜层进行刻蚀，直至暴露出半导体衬底；利用光掩膜图案和刻蚀后的掩膜层做掩膜，采用体积比为13<HBr:O2<25的刻蚀气体，54℃<刻蚀腔室内静电吸盘的负极温度<60℃的刻蚀条件对所述半导体衬底进行刻蚀，直至形成深宽比大于10的沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||