用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

摘要

[问题]为了在制造在绝缘膜上具有反射膜的第III族氮化物半导体发光器件的过程中提高反射膜的耐热性。[解决方案]制造出样品(A)和样品(B)，样品(A)具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO₂形成的第一绝缘膜(2)和反射膜(3)，样品B具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO₂形成的第一绝缘膜(2)、反射膜(3)和由SiO₂形成的第二绝缘膜(4)，针对样品(A，B)中的每个样品，在热处理之前和在热处理之后，测量反射膜(3)在450nm的波长下的反射率。在600℃下实施三分钟的热处理。如图所示，使用具有至的Al厚度的Al/Ag/Al、具有的Al厚度的Ag/Al以及具有的Al厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al，在热处理之后反射率为95％或更大，并且该反射率等于或大于Ag的反射率。

主权项

1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件具有与第一绝缘体接触并且在所述第一绝缘体上的反射膜，其中所述反射膜具有通过形成Ag的第一层并且在所述第一层上形成具有至厚度的Al的第二层作为最上层而形成的至少两层结构；以及其中在形成所述反射膜之后，在300℃至700℃的温度下进行热处理。