| 发明名称 | 一种磁性隧道结器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁性隧道结器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成MTJ层叠结构；在所述形成MTJ层叠结构上形成低介电常数材料；在所述低介电常数材料上形成图案化的硬掩膜层；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜，通过刻蚀步骤去除一部分所述低介电常数材料，在所述低介电常数材料中形成孔洞；在所述硬掩膜层上以及所述孔洞中沉积氧化物；通过化学机械研磨步骤去除所述孔洞外的所述氧化物，将所述氧化物表面抛光，并去除所述硬掩膜层；去除所述低介电常数材料，形成所述氧化物构成的柱状结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103123954A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201110371148.2 | 申请日期 | 2011.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;周俊卿 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种磁性隧道结器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成MTJ层叠结构；在所述形成MTJ层叠结构上形成低介电常数材料；在所述低介电常数材料上形成图案化的硬掩膜层；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜，通过刻蚀步骤去除一部分所述低介电常数材料，在所述低介电常数材料中形成孔洞；在所述硬掩膜层上以及所述孔洞中沉积氧化物；通过化学机械研磨步骤去除所述孔洞外的所述氧化物，将所述氧化物表面抛光，并去除所述硬掩膜层；去除所述低介电常数材料，形成所述氧化物构成的柱状结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||