发明名称 |
一种测量硅片表面金属杂质的前处理方法 |
摘要 |
一种测量硅片表面金属杂质的前处理方法,通过配置HF/H2O2/H2O的体积比为1∶1∶10的腐蚀液,将该腐蚀液滴于水平放置的硅片表面中心处,腐蚀液与SiO2从中心朝边缘方向逐渐反应,最后汇聚为1滴,测试该滴腐蚀液中杂质含量,数据处理中扣除腐蚀液中固有杂质含量后即得出硅片表面金属杂质含量。本发明的前处理方法是在每个硅片样品上完成的,过程中不会经过其他容器,处理完毕即可直接进入测量系统,在前处理过程中不存在交叉污染,腐蚀液只需要使用高纯HF和双氧水配置,成本低廉,整个过程自动完成,不需要手动转动硅片,过程简单快速。 |
申请公布号 |
CN103123904A |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN201110371838.8 |
申请日期 |
2011.11.21 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
李晓丽;孙威 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
常亮;李辰 |
主权项 |
一种测量硅片表面金属杂质的前处理方法,其特征在于:所述前处理方法包括下列步骤:1)配制腐蚀液,所述腐蚀液包括HF、H2O2及H2O;2)将硅片水平放置于底座上;3)将配置好的腐蚀液滴于水平放置的硅片表面中心处,腐蚀液与硅片表面的SiO2从中心朝边缘方向逐渐反应,最后汇聚为1滴;4)测试该滴腐蚀液中杂质含量,数据处理中扣除腐蚀液中固有杂质含量后即得出硅片表面金属杂质含量。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |