发明名称 |
溅射靶、透明导电膜、薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法及液晶显示装置 |
摘要 |
本发明提供具备基本上不会有由蚀刻造成的残渣等的产生的透明导电膜的薄膜晶体管型基板及其制造方法及使用了该薄膜晶体管型基板的液晶显示装置。在具备透明基板、设于所述透明基板上的源电极、设于所述透明基板上的漏电极、设于所述透明基板上的透明像素电极的薄膜晶体管型基板中,所述透明像素电极是作为主成分含有氧化铟,另外还含有选自氧化钨、氧化钼、氧化镍及氧化铌中的一种或两种以上的氧化物的透明导电膜,所述透明像素电极与所述源电极或所述漏电极电连接。本发明还提供此种薄膜晶体管型基板的制造方法及使用了该薄膜晶体管型基板的液晶显示装置。 |
申请公布号 |
CN103121799A |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN201210340105.2 |
申请日期 |
2005.03.02 |
申请人 |
出光兴产株式会社 |
发明人 |
井上一吉;笘井重和;松原雅人 |
分类号 |
C03C17/245(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/245(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
蒋亭 |
主权项 |
一种溅射靶,其以氧化铟为主成分,包括:选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或该金属的氧化物、选自由镧系金属构成的第二金属组M2中的一种或两种以上的金属的氧化物。 |
地址 |
日本国东京都 |