砷化镓赝配高电子迁移率晶体管

摘要

本发明涉及一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，包括：衬底、AlGaAs缓冲层、势垒层、低掺杂GaAs层、高掺杂GaAs层、源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间提供第一凹槽，在第一凹槽内提供第二凹槽，在第二凹槽内设置金属层，所述金属层包括第一栅金属子层、第二栅金属子层、第三栅金属子层、第四栅金属子层、第五栅金属子层，在势垒层中生长势垒金属层。本发明与现有技术相比，能够抑制栅泄漏电流，提高晶体管的栅漏、栅源击穿电压，提升GaAs晶体管的可靠性能；相比普通的纯Pt栅其离GaAs的距离更大，进一步提升GaAs增强型晶体管的可靠性能；且本发明能很好的解决采用Pt为栅势垒与介质辅助成型的T型栅工艺之间的矛盾，充分发挥T型栅工艺的优势。

主权项

一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，包括：衬底（1）、AlGaAs缓冲层（2）、势垒层（3）、低掺杂GaAs层（4）、高掺杂GaAs层（5）、源电极（6）和漏电极（7），在源电极（6）和漏电极（7）之间提供第一凹槽（8），在第一凹槽（8）内提供第二凹槽（10），其特征在于：在第二凹槽（10）内设置金属层，所述金属层包括第一栅金属子层（11）、第二栅金属子层（12）、第三栅金属子层（13）、第四栅金属子层（14）、第五栅金属子层（15），在势垒层（3）中生长势垒金属层（17）。