一种金属化前电介质层制作方法

摘要

本发明提供了一种金属化前电介质层的制作方法，该方法在沉积和化学机械研磨氧化硅层后，对氧化硅层进行等离子体处理在氧化硅层中形成张应力，更进一步制作氧化硅材料的盖层并进行第二次等离子体处理，通过制作具有张应力的金属化前电介质层和盖层，使张应力作用于NMOS的栅极，从而提高NMOS的器件性能。

主权项

一种金属化前电介质层的制作方法，提供具有NMOS器件结构的晶片，所述晶片的器件面上沉积氧化硅层，化学机械研磨所述氧化硅层后，其特征在于，该方法还包括：所述氧化硅层进行第一等离子体处理，形成具有张应力的金属化前电介质层。