相变随机存取存储器及制造方法、编程方法

摘要

一种相变随机存取存储器及制造方法、编程方法。所述相变随机存取存储器包括：开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括下电极、下电极上的电阻层、电阻层上的上电极，其中，所述电阻层的材料至少包括第一相变金属的氧化物和第二相变金属的氧化物，所述第二相变金属的电负性数值小于所述第一相变金属，所述上电极和下电极采用电负性数值小于所述第一相变金属的金属，或者采用贵金属。对所形成的相变随机存取存储器进行编程时，只需改变电阻层中一种相变金属氧化物就可实现复位或置位。

主权项

一种相变随机存取存储器，包括开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括下电极、下电极上的电阻层、电阻层上的上电极，其特征在于，所述电阻层的材料至少包括第一相变金属的氧化物和第二相变金属的氧化物，所述第二相变金属的电负性数值小于所述第一相变金属，所述上电极和下电极采用电负性数值小于所述第一相变金属的金属，或者采用贵金属；其中，所述第一相变金属的氧化物和第二相变金属的氧化物中的相变金属均具有不同价态，且不同价态的同一相变金属的氧化物具有不同的阻值；且在正偏置环境下，当对所述相变随机存取存储器施加电流时，电阻层的材料中具有较高阻值的一种相变金属的氧化物转变为具有较低阻值的另一种价态的同种相变金属的氧化物，实现置位，在负偏置环境下，当对所述相变随机存取存储器施加电流时，电阻层的材料中具有较低阻值的一种相变金属的氧化物转变为具有较高阻值的另一种价态的同种相变金属的氧化物，实现复位。