| 发明名称 | 一种打薄晶圆降低分裂闪存单元失败率的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种打薄晶圆降低分裂闪存单元失败率的工艺方法，其中，包括以下工艺步骤：步骤一，将圆片放置于卡盘上，并将所需研磨的一面朝上放置；步骤二，固定圆片在卡盘中的位置；步骤三，利用研磨砂轮对所述圆片所需研磨的一面进行研磨，在研磨时所述研磨砂轮与所述卡盘同时旋转；步骤四，研磨结束，清理所述圆片表面；步骤五，不对研磨结束的圆片进行抛光，直接进入下一工序。通过发明一种打薄晶圆降低分裂闪存单元失败率的工艺方法，有效地优化了圆片的减薄工艺条件，并使用8000目的研磨砂轮研磨且不抛光，同时能使圆片减薄后的成品闪存编程串扰失效率将为0%。 | ||
| 申请公布号 | CN103123913A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201210225800.4 | 申请日期 | 2012.07.03 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 魏文 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;B24B37/02(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种打薄晶圆降低分裂闪存单元失败率的工艺方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤一，将圆片放置于卡盘上，并将所需研磨的一面朝上放置；步骤二，固定圆片在卡盘中的位置；步骤三，利用研磨砂轮对所述圆片所需研磨的一面进行研磨，在研磨时所述研磨砂轮与所述卡盘同时旋转；步骤四，研磨结束，清理所述圆片表面；步骤五，不对研磨结束的圆片进行抛光，直接进入下一工序。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||