用于沉积有机半导体的混合溶剂体系

摘要

本发明涉及包含溶解于溶剂混合物中的有机半导体的组合物。更具体地讲，所述溶剂混合物包括含量等于1至20重量％的具有9至16个碳原子的烷烃和含量等于80至99重量％的芳族化合物。所述半导体材料以按所述组合物的总重量计等于至少0.1重量％的量溶解于所述溶剂混合物中。本发明还涉及通过使用所述组合物形成半导体层来制备半导体器件的方法。

主权项

1.一种组合物，其包含：a)溶剂混合物，所述溶剂混合物包含i)具有6至16个碳原子的烷烃，所述烷烃的含量范围按所述溶剂混合物的重量计为1至20重量％；和ii)由式(I)表示的芳族化合物所述芳族化合物的含量范围按所述溶剂混合物的重量计为80至99重量％，其中R^a为烷基、杂烷基、烷氧基、杂烷氧基或稠合的5元至6元环；各R^b独立地选自烷基、烷氧基或卤基；n为在0至5范围内的整数；以及b)有机半导体材料，所述有机半导体材料以按所述组合物的总重量计等于至少0.1重量％的量溶解于所述溶剂混合物中，所述有机半导体由式(II)表示其中，各R^c独立地选自未取代或取代的烷基、未取代或取代的杂烷基、未取代或取代的烯基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的杂芳基、二茂铁基或由式-Si(R^d)₃表示的甲硅烷基；各R^d独立地选自氢、未取代或取代的烷基、未取代或取代的杂烷基、未取代或取代的烯基、未取代或取代的炔基、取代或未取代的芳基、未取代或取代的杂芳基或乙酰基；各X独立地选自氢、卤基、烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、烯基、氰基或杂烷基；其中取代的烷基或取代的杂烷基被至少一个芳基、杂芳基、卤基、氰基、羟基或羧基取代；并且其中取代的烯基或取代的炔基被至少一个烷氧基、芳基、杂芳基、卤基、氰基、羟基或羧基取代；并且其中取代的芳基或取代的杂芳基被至少一个烷基、烷氧基、杂烷基、烷氧基、卤基、氰基、羟基、-SeH或羧基取代。